SSU3055LA - описание и поиск аналогов

 

SSU3055LA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSU3055LA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 18 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.165 Ohm

Тип корпуса: IPAK

Аналог (замена) для SSU3055LA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSU3055LA даташит

 ..1. Size:165K  1
 ssr3055la ssu3055la.pdf pdf_icon

SSU3055LA

 ..2. Size:213K  samsung
 ssu3055la.pdf pdf_icon

SSU3055LA

SSR/U3055LA Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 60 V Logic-Level Gate Drive RDS(on) = 0.165 Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology ID = 8 A Lower Input Capacitance Improved Gate Charge D-PAK I-PAK Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 60V 2 1 Lower RDS(ON) 0.124 (Typ.) 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Sou

 7.1. Size:329K  1
 ssu3055a ssr3055a.pdf pdf_icon

SSU3055LA

Другие MOSFET... SSS7N60A , SSS7N80A , SSS80N06A , SSU1N50 , SSU1N50A , SSU1N60A , SSU2N60A , SSU3055A , SKD502T , SSW1N50A , SSW1N60A , SSW2N60A , SSW2N80A , SSW2N90A , SSW3N80A , SSW3N90A , SSW4N60A .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.