SSU3055LA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SSU3055LA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 18 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 7.2 nC
Время нарастания (tr): 16 ns
Выходная емкость (Cd): 100 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.165 Ohm
Тип корпуса: IPAK
SSU3055LA Datasheet (PDF)
..2. Size:213K samsung
ssu3055la.pdf
ssu3055la.pdf
SSR/U3055LAAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Logic-Level Gate DriveRDS(on) = 0.165 Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology ID = 8 A Lower Input Capacitance Improved Gate ChargeD-PAK I-PAK Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 60V 21 Lower RDS(ON) : 0.124 (Typ.) 12331. Gate 2. Drain 3. Sou
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
