HSM3303 Todos los transistores

 

HSM3303 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSM3303
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 194 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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HSM3303 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:481K  huashuo
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HSM3303

HSM3303 Dual P-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS -30 V The HSM3303 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),typ 18 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -6.5 A The HSM3303 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function

 8.1. Size:875K  huashuo
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HSM3303

HSM3305 Dual P-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V -30 V DSThe HSM3305 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and R 42 m DS(ON),typgate charge for most of the synchronous buck converter applications. I -5 A DThe HSM3305 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full func

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History: HYG110P04LQ2U | FHP7N60A | IVN5000AND

 

 
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