HSM3303 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSM3303

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 194 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm

Encapsulados: SOP8

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HSM3303 datasheet

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HSM3303

HSM3303 Dual P-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS -30 V The HSM3303 is the high cell density trenched P- ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),typ 18 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -6.5 A The HSM3303 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function

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HSM3303

HSM3305 Dual P-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V -30 V DS The HSM3305 is the high cell density trenched P- ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and R 42 m DS(ON),typ gate charge for most of the synchronous buck converter applications. I -5 A D The HSM3305 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full func

Otros transistores... HSM3002, HSM3006, HSM3056, HSM3107, HSM3115, HSM3202, HSM3206, HSM3214, IRF1404, HSM3305, HSM3903, HSM4002, HSM4004, HSM4006, HSM4052, HSM4062, HSM4094