HSM3303 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HSM3303
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12.6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 14.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 194 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HSM3303

HSM3303 Datasheet (PDF)

..1. Size:481K huashuo
hsm3303.pdf

HSM3303 Dual P-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS -30 V The HSM3303 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),typ 18 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -6.5 A The HSM3303 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function

8.1. Size:875K huashuo
hsm3305.pdf

HSM3305 Dual P-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V -30 V DSThe HSM3305 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and R 42 m DS(ON),typgate charge for most of the synchronous buck converter applications. I -5 A DThe HSM3305 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full func

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: