HSM3303 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSM3303

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 194 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для HSM3303

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSM3303 даташит

 ..1. Size:481K  huashuo
 hsm3303.pdf pdf_icon

HSM3303

HSM3303 Dual P-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS -30 V The HSM3303 is the high cell density trenched P- ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),typ 18 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -6.5 A The HSM3303 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function

 8.1. Size:875K  huashuo
 hsm3305.pdf pdf_icon

HSM3303

HSM3305 Dual P-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V -30 V DS The HSM3305 is the high cell density trenched P- ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and R 42 m DS(ON),typ gate charge for most of the synchronous buck converter applications. I -5 A D The HSM3305 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full func

Другие IGBT... HSM3002, HSM3006, HSM3056, HSM3107, HSM3115, HSM3202, HSM3206, HSM3214, IRF1404, HSM3305, HSM3903, HSM4002, HSM4004, HSM4006, HSM4052, HSM4062, HSM4094