Справочник MOSFET. HSM3303

 

HSM3303 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSM3303
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 194 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для HSM3303

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSM3303 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:481K  huashuo
hsm3303.pdfpdf_icon

HSM3303

HSM3303 Dual P-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS -30 V The HSM3303 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),typ 18 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -6.5 A The HSM3303 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function

 8.1. Size:875K  huashuo
hsm3305.pdfpdf_icon

HSM3303

HSM3305 Dual P-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V -30 V DSThe HSM3305 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and R 42 m DS(ON),typgate charge for most of the synchronous buck converter applications. I -5 A DThe HSM3305 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full func

Другие MOSFET... HSM3002 , HSM3006 , HSM3056 , HSM3107 , HSM3115 , HSM3202 , HSM3206 , HSM3214 , IRF1404 , HSM3305 , HSM3903 , HSM4002 , HSM4004 , HSM4006 , HSM4052 , HSM4062 , HSM4094 .

History: SSD70N04-06D | WMQ25P04T1 | SWU10N70D

 

 
Back to Top

 


 
.