HSM4606 Todos los transistores

 

HSM4606 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSM4606
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 62 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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HSM4606 Datasheet (PDF)

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HSM4606

HSM4606 N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSM4606 is the high performance BVDSS RDSON ID complementary N-ch and P-ch MOSFETs with high 30V 22m 7A cell density, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck -30V 26m -6A converter applications. The HSM4606 meet the RoHS and Green Product requirement

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