Справочник MOSFET. HSM4606

 

HSM4606 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSM4606
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для HSM4606

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSM4606 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:361K  huashuo
 hsm4606.pdf pdf_icon

HSM4606

HSM4606 N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSM4606 is the high performance BVDSS RDSON ID complementary N-ch and P-ch MOSFETs with high 30V 22m 7A cell density, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck -30V 26m -6A converter applications. The HSM4606 meet the RoHS and Green Product requirement

Другие MOSFET... HSM4103 , HSM4113 , HSM4115 , HSM4204 , HSM4313 , HSM4407 , HSM4410 , HSM4435 , K3569 , HSM4805 , HSM6032 , HSM6113 , HSM6115 , HSM6303 , HSM6901 , HSM9926 , HSO8205 .

History: WNMD2171 | HSP0016 | IRF7905TR | FQA8N90C | 2N3384 | NTMFS6H836NL | FQB5N50TM

 

 
Back to Top

 


 
.