HSM4606 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HSM4606
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для HSM4606
HSM4606 Datasheet (PDF)
hsm4606.pdf

HSM4606 N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSM4606 is the high performance BVDSS RDSON ID complementary N-ch and P-ch MOSFETs with high 30V 22m 7A cell density, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck -30V 26m -6A converter applications. The HSM4606 meet the RoHS and Green Product requirement
Другие MOSFET... HSM4103 , HSM4113 , HSM4115 , HSM4204 , HSM4313 , HSM4407 , HSM4410 , HSM4435 , AO3400 , HSM4805 , HSM6032 , HSM6113 , HSM6115 , HSM6303 , HSM6901 , HSM9926 , HSO8205 .
History: JCS10N70FH | AM3930N | STB18N60M2 | FMD15-06KC5 | BLP065N08G-U | TPW60R090MFD | CS3710B8
History: JCS10N70FH | AM3930N | STB18N60M2 | FMD15-06KC5 | BLP065N08G-U | TPW60R090MFD | CS3710B8



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
2sb827 | c5200 datasheet | 2n2614 | 2sa777 replacement | 2sc828 transistor | 2sd357 | 110n8f6 mosfet datasheet | 2sc458 datasheet