HSM4606 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSM4606

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для HSM4606

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSM4606 даташит

 ..1. Size:361K  huashuo
 hsm4606.pdf pdf_icon

HSM4606

HSM4606 N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSM4606 is the high performance BVDSS RDSON ID complementary N-ch and P-ch MOSFETs with high 30V 22m 7A cell density, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck -30V 26m -6A converter applications. The HSM4606 meet the RoHS and Green Product requirement

Другие IGBT... HSM4103, HSM4113, HSM4115, HSM4204, HSM4313, HSM4407, HSM4410, HSM4435, IRF9540, HSM4805, HSM6032, HSM6113, HSM6115, HSM6303, HSM6901, HSM9926, HSO8205