HSM6032 Todos los transistores

 

HSM6032 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSM6032
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 41.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 201 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

 Búsqueda de reemplazo de HSM6032 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HSM6032 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:641K  huashuo
 hsm6032.pdf pdf_icon

HSM6032

HSM6032 Description Product Summary VDS 60 V The HSM6032 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 8.5 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 13 A The HSM6032 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliability approved. SOP8 Pin Configurat

Otros transistores... HSM4115 , HSM4204 , HSM4313 , HSM4407 , HSM4410 , HSM4435 , HSM4606 , HSM4805 , IRFP260 , HSM6113 , HSM6115 , HSM6303 , HSM6901 , HSM9926 , HSO8205 , HSO8810 , HSP0016 .

History: WML14N70C4 | SSS1206H | SGO4606T | SIF10N40C | IRF7701GPBF | NCE4618SP

 

 
Back to Top

 


 
.