HSM6032 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSM6032

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 41.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 201 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm

Encapsulados: SOP8

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HSM6032 datasheet

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HSM6032

HSM6032 Description Product Summary VDS 60 V The HSM6032 is the high cell density trenched N- ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 8.5 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 13 A The HSM6032 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliability approved. SOP8 Pin Configurat

Otros transistores... HSM4115, HSM4204, HSM4313, HSM4407, HSM4410, HSM4435, HSM4606, HSM4805, 2SK3878, HSM6113, HSM6115, HSM6303, HSM6901, HSM9926, HSO8205, HSO8810, HSP0016