HSM6032 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HSM6032
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2.7 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 13 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 57 nC
Tiempo de subida (tr): 41.2 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 201 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0085 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
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HSM6032 Datasheet (PDF)
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HSM6032 Description Product Summary VDS 60 V The HSM6032 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 8.5 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 13 A The HSM6032 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliability approved. SOP8 Pin Configurat
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