HSM6032 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSM6032

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 41.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 201 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для HSM6032

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSM6032 даташит

 ..1. Size:641K  huashuo
 hsm6032.pdf pdf_icon

HSM6032

HSM6032 Description Product Summary VDS 60 V The HSM6032 is the high cell density trenched N- ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 8.5 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 13 A The HSM6032 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliability approved. SOP8 Pin Configurat

Другие IGBT... HSM4115, HSM4204, HSM4313, HSM4407, HSM4410, HSM4435, HSM4606, HSM4805, 2SK3878, HSM6113, HSM6115, HSM6303, HSM6901, HSM9926, HSO8205, HSO8810, HSP0016