Справочник MOSFET. HSM6032

 

HSM6032 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSM6032
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 57 nC
   trⓘ - Время нарастания: 41.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 201 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HSM6032 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:641K  huashuo
 hsm6032.pdf pdf_icon

HSM6032

HSM6032 Description Product Summary VDS 60 V The HSM6032 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 8.5 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 13 A The HSM6032 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliability approved. SOP8 Pin Configurat

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: WNM2025 | NDP608B

 

 
Back to Top

 


 
.