Справочник MOSFET. HSM6032

 

HSM6032 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSM6032
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 41.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 201 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для HSM6032

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSM6032 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:641K  huashuo
 hsm6032.pdf pdf_icon

HSM6032

HSM6032 Description Product Summary VDS 60 V The HSM6032 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 8.5 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 13 A The HSM6032 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliability approved. SOP8 Pin Configurat

Другие MOSFET... HSM4115 , HSM4204 , HSM4313 , HSM4407 , HSM4410 , HSM4435 , HSM4606 , HSM4805 , IRFP260 , HSM6113 , HSM6115 , HSM6303 , HSM6901 , HSM9926 , HSO8205 , HSO8810 , HSP0016 .

History: SVF7N65F | FTP540

 

 
Back to Top

 


 
.