HSM6113 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSM6113

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 73 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm

Encapsulados: SOP8

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HSM6113 datasheet

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HSM6113

HSM6113 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSM6113 is the high cell density trenched P- VDS -60 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),max 90 m converter applications. ID -4.1 A The HSM6113 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function relia

 8.1. Size:2101K  huashuo
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HSM6113

HSM6115 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS -60 V The HSM6115 is the high cell density trenched P- ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 25 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -11 A The HSM6115 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reli

Otros transistores... HSM4204, HSM4313, HSM4407, HSM4410, HSM4435, HSM4606, HSM4805, HSM6032, STP75NF75, HSM6115, HSM6303, HSM6901, HSM9926, HSO8205, HSO8810, HSP0016, HSP0018A