Справочник MOSFET. HSM6113

 

HSM6113 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSM6113
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 11.8 nC
   trⓘ - Время нарастания: 19.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 73 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HSM6113 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2130K  huashuo
 hsm6113.pdf pdf_icon

HSM6113

HSM6113 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSM6113 is the high cell density trenched P-VDS -60 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),max 90 m converter applications. ID -4.1 A The HSM6113 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function relia

 8.1. Size:2101K  huashuo
 hsm6115.pdf pdf_icon

HSM6113

HSM6115 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS -60 V The HSM6115 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 25 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -11 A The HSM6115 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reli

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: HSM4004 | NCES075R026T | NDD05N50Z | NDB410B | HRS75N75V

 

 
Back to Top

 


 
.