HSM6113 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSM6113

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 73 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для HSM6113

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSM6113 даташит

 ..1. Size:2130K  huashuo
 hsm6113.pdf pdf_icon

HSM6113

HSM6113 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSM6113 is the high cell density trenched P- VDS -60 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),max 90 m converter applications. ID -4.1 A The HSM6113 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function relia

 8.1. Size:2101K  huashuo
 hsm6115.pdf pdf_icon

HSM6113

HSM6115 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS -60 V The HSM6115 is the high cell density trenched P- ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 25 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -11 A The HSM6115 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reli

Другие IGBT... HSM4204, HSM4313, HSM4407, HSM4410, HSM4435, HSM4606, HSM4805, HSM6032, STP75NF75, HSM6115, HSM6303, HSM6901, HSM9926, HSO8205, HSO8810, HSP0016, HSP0018A