HSM6113 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HSM6113
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 19.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 73 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для HSM6113
HSM6113 Datasheet (PDF)
hsm6113.pdf

HSM6113 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSM6113 is the high cell density trenched P-VDS -60 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),max 90 m converter applications. ID -4.1 A The HSM6113 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function relia
hsm6115.pdf

HSM6115 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS -60 V The HSM6115 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 25 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -11 A The HSM6115 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reli
Другие MOSFET... HSM4204 , HSM4313 , HSM4407 , HSM4410 , HSM4435 , HSM4606 , HSM4805 , HSM6032 , 12N60 , HSM6115 , HSM6303 , HSM6901 , HSM9926 , HSO8205 , HSO8810 , HSP0016 , HSP0018A .
History: BSZ130N03LSG | WMM53N60C4 | 2SK3306
History: BSZ130N03LSG | WMM53N60C4 | 2SK3306



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sa777 replacement | 2sc828 transistor | 2sd357 | 110n8f6 mosfet datasheet | 2sc458 datasheet | irfz48 | bf494 transistor equivalent | 2sc458 pinout