HSM6115 Todos los transistores

 

HSM6115 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSM6115
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 224 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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HSM6115 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2101K  huashuo
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HSM6115

HSM6115 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS -60 V The HSM6115 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 25 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -11 A The HSM6115 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reli

 8.1. Size:2130K  huashuo
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HSM6115

HSM6113 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSM6113 is the high cell density trenched P-VDS -60 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),max 90 m converter applications. ID -4.1 A The HSM6113 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function relia

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History: WSD30L40DN | SSF6816 | IRLU3636PBF | SI4N60L-TF3-T | WMP10N80M3 | WSF70N10 | NTR4101P

 

 
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