HSM6115 - аналоги и даташиты транзистора

 

HSM6115 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HSM6115
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 224 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для HSM6115

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSM6115 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2101K  huashuo
 hsm6115.pdf pdf_icon

HSM6115

HSM6115 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS -60 V The HSM6115 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 25 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -11 A The HSM6115 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reli

 8.1. Size:2130K  huashuo
 hsm6113.pdf pdf_icon

HSM6115

HSM6113 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSM6113 is the high cell density trenched P-VDS -60 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),max 90 m converter applications. ID -4.1 A The HSM6113 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function relia

Другие MOSFET... HSM4313 , HSM4407 , HSM4410 , HSM4435 , HSM4606 , HSM4805 , HSM6032 , HSM6113 , 2N7002 , HSM6303 , HSM6901 , HSM9926 , HSO8205 , HSO8810 , HSP0016 , HSP0018A , HSP0024A .

History: PHB129NQ04LT | HYG110P04LQ2V | PHB143NQ04T | SSF8810 | 2SK2459N

 

 
Back to Top

 


 
.