HSM6303 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HSM6303
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 9.86 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 19.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 97.3 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

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HSM6303 Datasheet (PDF)

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hsm6303.pdf

HSM6303 Dual P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSM6303 is the high cell density trenched P-VDS -60 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous RDS(ON),TYP 58 m buck converter applications. ID -4 A The HSM6303 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function re

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