HSM6303 Todos los transistores

 

HSM6303 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSM6303
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 97.3 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

 Búsqueda de reemplazo de HSM6303 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HSM6303 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:453K  huashuo
 hsm6303.pdf pdf_icon

HSM6303

HSM6303 Dual P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSM6303 is the high cell density trenched P-VDS -60 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous RDS(ON),TYP 58 m buck converter applications. ID -4 A The HSM6303 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function re

Otros transistores... HSM4407 , HSM4410 , HSM4435 , HSM4606 , HSM4805 , HSM6032 , HSM6113 , HSM6115 , K4145 , HSM6901 , HSM9926 , HSO8205 , HSO8810 , HSP0016 , HSP0018A , HSP0024A , HSP0048 .

History: FIR9N90FG | DH033N03E | FS50UMJ-3 | CSD18536KCS | CSD18534Q5A | IXTH2N150 | DH033N03D

 

 
Back to Top

 


 
.