HSM6303 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSM6303

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 97.3 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm

Encapsulados: SOP8

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HSM6303 datasheet

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HSM6303

HSM6303 Dual P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSM6303 is the high cell density trenched P- VDS -60 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous RDS(ON),TYP 58 m buck converter applications. ID -4 A The HSM6303 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function re

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