HSM6303 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSM6303

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 97.3 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для HSM6303

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSM6303 даташит

 ..1. Size:453K  huashuo
 hsm6303.pdf pdf_icon

HSM6303

HSM6303 Dual P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSM6303 is the high cell density trenched P- VDS -60 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous RDS(ON),TYP 58 m buck converter applications. ID -4 A The HSM6303 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function re

Другие IGBT... HSM4407, HSM4410, HSM4435, HSM4606, HSM4805, HSM6032, HSM6113, HSM6115, IRF9540N, HSM6901, HSM9926, HSO8205, HSO8810, HSP0016, HSP0018A, HSP0024A, HSP0048