Справочник MOSFET. HSM6303

 

HSM6303 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSM6303
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 97.3 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для HSM6303

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSM6303 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:453K  huashuo
 hsm6303.pdf pdf_icon

HSM6303

HSM6303 Dual P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSM6303 is the high cell density trenched P-VDS -60 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous RDS(ON),TYP 58 m buck converter applications. ID -4 A The HSM6303 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function re

Другие MOSFET... HSM4407 , HSM4410 , HSM4435 , HSM4606 , HSM4805 , HSM6032 , HSM6113 , HSM6115 , IRF1010E , HSM6901 , HSM9926 , HSO8205 , HSO8810 , HSP0016 , HSP0018A , HSP0024A , HSP0048 .

History: SSF53A0E | AMA2N7002

 

 
Back to Top

 


 
.