HSM9926 Todos los transistores

 

HSM9926 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSM9926
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 144 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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HSM9926 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3308K  huashuo
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HSM9926

HSM9926 Dual N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 20 V The HSM9926 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 28 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 6 A The HSM9926 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function rel

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History: PZ567JZ | STB160NF3LLT4 | SI4848DY-T1-E3 | FDD6296 | AOD407 | SWD088R06VT | R6520KNZ1

 

 
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