HSM9926 Todos los transistores

 

HSM9926 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSM9926
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 144 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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HSM9926 Datasheet (PDF)

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HSM9926

HSM9926 Dual N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 20 V The HSM9926 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 28 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 6 A The HSM9926 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function rel

Otros transistores... HSM4435 , HSM4606 , HSM4805 , HSM6032 , HSM6113 , HSM6115 , HSM6303 , HSM6901 , IRLB4132 , HSO8205 , HSO8810 , HSP0016 , HSP0018A , HSP0024A , HSP0048 , HSP0115 , HSP0139 .

History: SIHFIB6N60A | HFS2N65U | PMDXB550UNE | SFF24N50B | AOT470

 

 
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