HSM9926 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HSM9926
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6.3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 144 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de HSM9926 MOSFET
HSM9926 Datasheet (PDF)
hsm9926.pdf

HSM9926 Dual N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 20 V The HSM9926 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 28 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 6 A The HSM9926 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function rel
Otros transistores... HSM4435 , HSM4606 , HSM4805 , HSM6032 , HSM6113 , HSM6115 , HSM6303 , HSM6901 , 5N60 , HSO8205 , HSO8810 , HSP0016 , HSP0018A , HSP0024A , HSP0048 , HSP0115 , HSP0139 .
History: 2SK3306 | WMM53N60C4 | BSZ130N03LSG
History: 2SK3306 | WMM53N60C4 | BSZ130N03LSG



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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