HSM9926 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSM9926

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 144 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для HSM9926

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSM9926 даташит

 ..1. Size:3308K  huashuo
 hsm9926.pdf pdf_icon

HSM9926

HSM9926 Dual N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 20 V The HSM9926 is the high cell density trenched N- ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 28 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 6 A The HSM9926 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function rel

Другие IGBT... HSM4435, HSM4606, HSM4805, HSM6032, HSM6113, HSM6115, HSM6303, HSM6901, IRLB4132, HSO8205, HSO8810, HSP0016, HSP0018A, HSP0024A, HSP0048, HSP0115, HSP0139