Справочник MOSFET. HSM9926

 

HSM9926 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSM9926
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 144 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для HSM9926

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSM9926 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3308K  huashuo
 hsm9926.pdf pdf_icon

HSM9926

HSM9926 Dual N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 20 V The HSM9926 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 28 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 6 A The HSM9926 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function rel

Другие MOSFET... HSM4435 , HSM4606 , HSM4805 , HSM6032 , HSM6113 , HSM6115 , HSM6303 , HSM6901 , 5N60 , HSO8205 , HSO8810 , HSP0016 , HSP0018A , HSP0024A , HSP0048 , HSP0115 , HSP0139 .

 

 
Back to Top

 


 
.