HSO8205 Todos los transistores

 

HSO8205 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSO8205
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 124 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP8
 

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HSO8205 Datasheet (PDF)

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HSO8205

HSO8205 Dual N-ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 20 V The HSO8205 is the low RDSON trenched N-CH MOSFETs. This product is suitable for Lithium-ion RDS(ON),max 27 m battery pack applications. The HSO8205 meet the RoHS and Green Product ID 6 A requirement with full function reliability approved. Green Device Available TSSOP8 Pin Configur

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History: FHP80N08A | HSP6024A | IRL520L

 

 
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