HSO8205 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSO8205

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 124 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm

Тип корпуса: TSSOP8

Аналог (замена) для HSO8205

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSO8205 даташит

 ..1. Size:932K  huashuo
 hso8205.pdf pdf_icon

HSO8205

HSO8205 Dual N-ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 20 V The HSO8205 is the low RDSON trenched N-CH MOSFETs. This product is suitable for Lithium-ion RDS(ON),max 27 m battery pack applications. The HSO8205 meet the RoHS and Green Product ID 6 A requirement with full function reliability approved. Green Device Available TSSOP8 Pin Configur

Другие IGBT... HSM4606, HSM4805, HSM6032, HSM6113, HSM6115, HSM6303, HSM6901, HSM9926, AO3401, HSO8810, HSP0016, HSP0018A, HSP0024A, HSP0048, HSP0115, HSP0139, HSP120N08