HSO8205 - аналоги и даташиты транзистора

 

HSO8205 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HSO8205
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 124 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP8
 

 Аналог (замена) для HSO8205

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSO8205 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:932K  huashuo
 hso8205.pdf pdf_icon

HSO8205

HSO8205 Dual N-ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 20 V The HSO8205 is the low RDSON trenched N-CH MOSFETs. This product is suitable for Lithium-ion RDS(ON),max 27 m battery pack applications. The HSO8205 meet the RoHS and Green Product ID 6 A requirement with full function reliability approved. Green Device Available TSSOP8 Pin Configur

Другие MOSFET... HSM4606 , HSM4805 , HSM6032 , HSM6113 , HSM6115 , HSM6303 , HSM6901 , HSM9926 , AO3400 , HSO8810 , HSP0016 , HSP0018A , HSP0024A , HSP0048 , HSP0115 , HSP0139 , HSP120N08 .

History: NCEAP25N10AG | WMJ53N60F2 | 3401A | SWF7N70D | SIHF620 | FHF4N65B

 

 
Back to Top

 


 
.