HSO8810 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HSO8810
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 81 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HSO8810

HSO8810 Datasheet (PDF)

..1. Size:535K huashuo
hso8810.pdf

HSO8810 Dual N-ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 20 V The HSO8810 is the low RDSON trenched N-CH MOSFETs with robust ESD protection. This RDS(ON),typ 11.5 m product is suitable for Lithium-ion battery pack applications. ID 7.3 A The HSO8810 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved. TSSOP8 Pin Conf

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: