HSO8810 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HSO8810
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 7.3 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
Carga de la puerta (Qg): 11.2 nC
Tiempo de subida (tr): 250 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 81 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.015 Ohm
Paquete / Cubierta: TSSOP8
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HSO8810 Datasheet (PDF)
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HSO8810 Dual N-ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 20 V The HSO8810 is the low RDSON trenched N-CH MOSFETs with robust ESD protection. This RDS(ON),typ 11.5 m product is suitable for Lithium-ion battery pack applications. ID 7.3 A The HSO8810 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved. TSSOP8 Pin Conf
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