HSO8810 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSO8810

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 81 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: TSSOP8

Аналог (замена) для HSO8810

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSO8810 даташит

 ..1. Size:535K  huashuo
 hso8810.pdf pdf_icon

HSO8810

HSO8810 Dual N-ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 20 V The HSO8810 is the low RDSON trenched N-CH MOSFETs with robust ESD protection. This RDS(ON),typ 11.5 m product is suitable for Lithium-ion battery pack applications. ID 7.3 A The HSO8810 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved. TSSOP8 Pin Conf

Другие IGBT... HSM4805, HSM6032, HSM6113, HSM6115, HSM6303, HSM6901, HSM9926, HSO8205, K3569, HSP0016, HSP0018A, HSP0024A, HSP0048, HSP0115, HSP0139, HSP120N08, HSP150N02