HSO8810 - аналоги и даташиты транзистора

 

HSO8810 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HSO8810
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 81 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP8
 

 Аналог (замена) для HSO8810

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSO8810 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:535K  huashuo
 hso8810.pdf pdf_icon

HSO8810

HSO8810 Dual N-ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 20 V The HSO8810 is the low RDSON trenched N-CH MOSFETs with robust ESD protection. This RDS(ON),typ 11.5 m product is suitable for Lithium-ion battery pack applications. ID 7.3 A The HSO8810 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved. TSSOP8 Pin Conf

Другие MOSFET... HSM4805 , HSM6032 , HSM6113 , HSM6115 , HSM6303 , HSM6901 , HSM9926 , HSO8205 , SPP20N60C3 , HSP0016 , HSP0018A , HSP0024A , HSP0048 , HSP0115 , HSP0139 , HSP120N08 , HSP150N02 .

History: SVF7N65CFJH | 2SK3857TV | SI2301BDS-T1-GE3 | FHF4N60A | HSM6901 | FXN11N45F | P0660ED

 

 
Back to Top

 


 
.