HSP0115 Todos los transistores

 

HSP0115 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSP0115
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 27.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 129 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.095 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

 Búsqueda de reemplazo de HSP0115 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HSP0115 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:577K  huashuo
 hsp0115.pdf pdf_icon

HSP0115

HSP0115 P-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSP0115 uses advanced trench MOSFET V -100 V DStechnology to provide excellent R and gate DS(ON)R 95 m DS(ON),maxcharge for use in a wide variety of other applications. I -23 A DThe HSP0115 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliability app

 9.1. Size:678K  huashuo
 hsp0139.pdf pdf_icon

HSP0115

HSP0139 P-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSP0139 uses advanced trench MOSFET VDS -100 V technology to provide excellent RDS(ON) and gate RDS(ON),max 50 m charge for use in a wide variety of other applications. ID -35 A The HSP0139 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliability approved.

Otros transistores... HSM6901 , HSM9926 , HSO8205 , HSO8810 , HSP0016 , HSP0018A , HSP0024A , HSP0048 , IRFB3607 , HSP0139 , HSP120N08 , HSP150N02 , HSP150N15 , HSP15810C , HSP18N20 , HSP200N02 , HSP3018B .

History: IXZR16N60A | DH105N07D | RU5H5R | AP9468GP-HF | STD1NK80Z | AP10TN003I | BUK9Y6R0-60E

 

 
Back to Top

 


 
.