HSP0115 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HSP0115
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 96 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 23 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 44.5 nC
Tiempo de subida (tr): 27.4 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 129 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.095 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HSP0115
HSP0115 Datasheet (PDF)
hsp0115.pdf
HSP0115 P-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSP0115 uses advanced trench MOSFET V -100 V DStechnology to provide excellent R and gate DS(ON)R 95 m DS(ON),maxcharge for use in a wide variety of other applications. I -23 A DThe HSP0115 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliability app
hsp0139.pdf
HSP0139 P-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSP0139 uses advanced trench MOSFET VDS -100 V technology to provide excellent RDS(ON) and gate RDS(ON),max 50 m charge for use in a wide variety of other applications. ID -35 A The HSP0139 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliability approved.
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