HSP0115 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSP0115

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 129 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для HSP0115

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSP0115 даташит

 ..1. Size:577K  huashuo
 hsp0115.pdf pdf_icon

HSP0115

HSP0115 P-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSP0115 uses advanced trench MOSFET V -100 V DS technology to provide excellent R and gate DS(ON) R 95 m DS(ON),max charge for use in a wide variety of other applications. I -23 A D The HSP0115 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliability app

 9.1. Size:678K  huashuo
 hsp0139.pdf pdf_icon

HSP0115

HSP0139 P-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSP0139 uses advanced trench MOSFET VDS -100 V technology to provide excellent RDS(ON) and gate RDS(ON),max 50 m charge for use in a wide variety of other applications. ID -35 A The HSP0139 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliability approved.

Другие IGBT... HSM6901, HSM9926, HSO8205, HSO8810, HSP0016, HSP0018A, HSP0024A, HSP0048, K4145, HSP0139, HSP120N08, HSP150N02, HSP150N15, HSP15810C, HSP18N20, HSP200N02, HSP3018B