HSP0115 - аналоги и даташиты транзистора

 

HSP0115 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HSP0115
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 27.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 129 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для HSP0115

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSP0115 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:577K  huashuo
 hsp0115.pdf pdf_icon

HSP0115

HSP0115 P-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSP0115 uses advanced trench MOSFET V -100 V DStechnology to provide excellent R and gate DS(ON)R 95 m DS(ON),maxcharge for use in a wide variety of other applications. I -23 A DThe HSP0115 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliability app

 9.1. Size:678K  huashuo
 hsp0139.pdf pdf_icon

HSP0115

HSP0139 P-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSP0139 uses advanced trench MOSFET VDS -100 V technology to provide excellent RDS(ON) and gate RDS(ON),max 50 m charge for use in a wide variety of other applications. ID -35 A The HSP0139 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliability approved.

Другие MOSFET... HSM6901 , HSM9926 , HSO8205 , HSO8810 , HSP0016 , HSP0018A , HSP0024A , HSP0048 , IRFB3607 , HSP0139 , HSP120N08 , HSP150N02 , HSP150N15 , HSP15810C , HSP18N20 , HSP200N02 , HSP3018B .

History: BLP03N10-B | SIHFP360 | HFS5N65S | CS7N70F | SFF250ZDB | AM7483P | HY3708PS

 

 
Back to Top

 


 
.