HSP0139 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSP0139

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 32.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 223 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: TO220

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HSP0139 datasheet

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HSP0139

HSP0139 P-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSP0139 uses advanced trench MOSFET VDS -100 V technology to provide excellent RDS(ON) and gate RDS(ON),max 50 m charge for use in a wide variety of other applications. ID -35 A The HSP0139 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliability approved.

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HSP0139

HSP0115 P-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSP0115 uses advanced trench MOSFET V -100 V DS technology to provide excellent R and gate DS(ON) R 95 m DS(ON),max charge for use in a wide variety of other applications. I -23 A D The HSP0115 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliability app

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