HSP0139 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HSP0139
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 104 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 35 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 92 nC
Время нарастания (tr): 32.2 ns
Выходная емкость (Cd): 223 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.05 Ohm
Тип корпуса: TO220
HSP0139 Datasheet (PDF)
hsp0139.pdf
HSP0139 P-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSP0139 uses advanced trench MOSFET VDS -100 V technology to provide excellent RDS(ON) and gate RDS(ON),max 50 m charge for use in a wide variety of other applications. ID -35 A The HSP0139 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliability approved.
hsp0115.pdf
HSP0115 P-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSP0115 uses advanced trench MOSFET V -100 V DStechnology to provide excellent R and gate DS(ON)R 95 m DS(ON),maxcharge for use in a wide variety of other applications. I -23 A DThe HSP0115 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliability app
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
