HSP120N08 Todos los transistores

 

HSP120N08 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSP120N08
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 220 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 39 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 548 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0057 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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HSP120N08 Datasheet (PDF)

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HSP120N08

HSP120N08 N-Ch 80V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V 80 V DSThe HSP120N08 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON R 4.7 m DS(ON),TYPand gate charge for most of the synchronous buck converter applications. I 120 A DThe HSP120N08 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full fun

Otros transistores... HSO8205 , HSO8810 , HSP0016 , HSP0018A , HSP0024A , HSP0048 , HSP0115 , HSP0139 , RFP50N06 , HSP150N02 , HSP150N15 , HSP15810C , HSP18N20 , HSP200N02 , HSP3018B , HSP3105 , HSP4024A .

History: SIR870ADP | RFD16N06LE | SST65R600S2E | SML1004RAN | NCE0202ZA | SI1016X | CMP1405

 

 
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