HSP120N08 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSP120N08

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 220 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 39 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 548 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0057 Ohm

Encapsulados: TO220

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HSP120N08 datasheet

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HSP120N08

HSP120N08 N-Ch 80V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V 80 V DS The HSP120N08 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON R 4.7 m DS(ON),TYP and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. I 120 A D The HSP120N08 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full fun

Otros transistores... HSO8205, HSO8810, HSP0016, HSP0018A, HSP0024A, HSP0048, HSP0115, HSP0139, AON7410, HSP150N02, HSP150N15, HSP15810C, HSP18N20, HSP200N02, HSP3018B, HSP3105, HSP4024A