Справочник MOSFET. HSP120N08

 

HSP120N08 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSP120N08
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 220 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 548 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0057 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для HSP120N08

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSP120N08 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1281K  huashuo
 hsp120n08.pdf pdf_icon

HSP120N08

HSP120N08 N-Ch 80V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V 80 V DSThe HSP120N08 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON R 4.7 m DS(ON),TYPand gate charge for most of the synchronous buck converter applications. I 120 A DThe HSP120N08 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full fun

Другие MOSFET... HSO8205 , HSO8810 , HSP0016 , HSP0018A , HSP0024A , HSP0048 , HSP0115 , HSP0139 , RFP50N06 , HSP150N02 , HSP150N15 , HSP15810C , HSP18N20 , HSP200N02 , HSP3018B , HSP3105 , HSP4024A .

 

 
Back to Top

 


 
.