HSP120N08 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSP120N08

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 220 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 548 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0057 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для HSP120N08

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSP120N08 даташит

 ..1. Size:1281K  huashuo
 hsp120n08.pdf pdf_icon

HSP120N08

HSP120N08 N-Ch 80V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V 80 V DS The HSP120N08 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON R 4.7 m DS(ON),TYP and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. I 120 A D The HSP120N08 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full fun

Другие IGBT... HSO8205, HSO8810, HSP0016, HSP0018A, HSP0024A, HSP0048, HSP0115, HSP0139, AON7410, HSP150N02, HSP150N15, HSP15810C, HSP18N20, HSP200N02, HSP3018B, HSP3105, HSP4024A