HSP18N20 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSP18N20

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 109 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.17 Ohm

Encapsulados: TO220

 Búsqueda de reemplazo de HSP18N20 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HSP18N20 datasheet

 ..1. Size:382K  huashuo
 hsp18n20.pdf pdf_icon

HSP18N20

HSP18N20 N-Ch 200V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSP18N20 is the highest performance trench V 200 V DS N-ch MOSFETs with extreme high cell density, which provide excellent RDSON and gate charge R 170 m DS(ON),max for most of the synchronous buck converter I 18 A D applications. The HSP18N20 meet the RoHS and Green Product requirement, 100%

Otros transistores... HSP0024A, HSP0048, HSP0115, HSP0139, HSP120N08, HSP150N02, HSP150N15, HSP15810C, IRFB3607, HSP200N02, HSP3018B, HSP3105, HSP4024A, HSP4048, HSP6016, HSP6024A, HSP6032A