HSP18N20 Todos los transistores

 

HSP18N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSP18N20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 109 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.17 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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HSP18N20 Datasheet (PDF)

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HSP18N20

HSP18N20 N-Ch 200V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSP18N20 is the highest performance trench V 200 V DSN-ch MOSFETs with extreme high cell density, which provide excellent RDSON and gate charge R 170 m DS(ON),maxfor most of the synchronous buck converter I 18 A Dapplications. The HSP18N20 meet the RoHS and Green Product requirement, 100%

Otros transistores... HSP0024A , HSP0048 , HSP0115 , HSP0139 , HSP120N08 , HSP150N02 , HSP150N15 , HSP15810C , AON7506 , HSP200N02 , HSP3018B , HSP3105 , HSP4024A , HSP4048 , HSP6016 , HSP6024A , HSP6032A .

History: IRF3709ZCS | SWD20N20D | STF5N60M2 | 2SK134 | IPB042N10N3G | AP4417GH | 2N3386

 

 
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