HSP18N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HSP18N20
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 83 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 18 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 45 nC
Tiempo de subida (tr): 8.2 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 109 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.17 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
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HSP18N20 Datasheet (PDF)
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HSP18N20 N-Ch 200V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSP18N20 is the highest performance trench V 200 V DSN-ch MOSFETs with extreme high cell density, which provide excellent RDSON and gate charge R 170 m DS(ON),maxfor most of the synchronous buck converter I 18 A Dapplications. The HSP18N20 meet the RoHS and Green Product requirement, 100%
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