HSP18N20 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HSP18N20
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 18 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 8.2 ns
Выходная емкость (Cd): 109 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.17 Ohm
Тип корпуса: TO220
HSP18N20 Datasheet (PDF)
..1. Size:382K huashuo
hsp18n20.pdf
hsp18n20.pdf
HSP18N20 N-Ch 200V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSP18N20 is the highest performance trench V 200 V DSN-ch MOSFETs with extreme high cell density, which provide excellent RDSON and gate charge R 170 m DS(ON),maxfor most of the synchronous buck converter I 18 A Dapplications. The HSP18N20 meet the RoHS and Green Product requirement, 100%
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
