HSP18N20 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSP18N20

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 109 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для HSP18N20

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSP18N20 даташит

 ..1. Size:382K  huashuo
 hsp18n20.pdf pdf_icon

HSP18N20

HSP18N20 N-Ch 200V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSP18N20 is the highest performance trench V 200 V DS N-ch MOSFETs with extreme high cell density, which provide excellent RDSON and gate charge R 170 m DS(ON),max for most of the synchronous buck converter I 18 A D applications. The HSP18N20 meet the RoHS and Green Product requirement, 100%

Другие IGBT... HSP0024A, HSP0048, HSP0115, HSP0139, HSP120N08, HSP150N02, HSP150N15, HSP15810C, IRFB3607, HSP200N02, HSP3018B, HSP3105, HSP4024A, HSP4048, HSP6016, HSP6024A, HSP6032A