Справочник MOSFET. HSP18N20

 

HSP18N20 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HSP18N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 45 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 109 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для HSP18N20

 

 

HSP18N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:382K  huashuo
 hsp18n20.pdf

HSP18N20 HSP18N20

HSP18N20 N-Ch 200V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSP18N20 is the highest performance trench V 200 V DSN-ch MOSFETs with extreme high cell density, which provide excellent RDSON and gate charge R 170 m DS(ON),maxfor most of the synchronous buck converter I 18 A Dapplications. The HSP18N20 meet the RoHS and Green Product requirement, 100%

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: HSM4004 | STB20NK50ZT4

 

 
Back to Top