Справочник MOSFET. HSP18N20

 

HSP18N20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSP18N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 109 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для HSP18N20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSP18N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:382K  huashuo
 hsp18n20.pdf pdf_icon

HSP18N20

HSP18N20 N-Ch 200V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSP18N20 is the highest performance trench V 200 V DSN-ch MOSFETs with extreme high cell density, which provide excellent RDSON and gate charge R 170 m DS(ON),maxfor most of the synchronous buck converter I 18 A Dapplications. The HSP18N20 meet the RoHS and Green Product requirement, 100%

Другие MOSFET... HSP0024A , HSP0048 , HSP0115 , HSP0139 , HSP120N08 , HSP150N02 , HSP150N15 , HSP15810C , AON7506 , HSP200N02 , HSP3018B , HSP3105 , HSP4024A , HSP4048 , HSP6016 , HSP6024A , HSP6032A .

History: 2SK2533 | STL35N15F3 | AM7411P | 2N4343 | STU5N60M2 | SI2351DS-T1

 

 
Back to Top

 


 
.