HSP200N02 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HSP200N02
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 200 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 70 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 110 nC
Tiempo de subida (tr): 18 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 343 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.033 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
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HSP200N02 Datasheet (PDF)
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HSP200N02 N-Ch 200V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSP200N02 is the highest performance VDS 200 V trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density, which provide excellent RDSON and gate RDS(ON),typ 27 m charge for most of the synchronous buck ID 70 A converter applications. The HSP200N02 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS
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