HSP200N02 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HSP200N02
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 343 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.033 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de HSP200N02 MOSFET
HSP200N02 Datasheet (PDF)
hsp200n02.pdf

HSP200N02 N-Ch 200V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSP200N02 is the highest performance VDS 200 V trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density, which provide excellent RDSON and gate RDS(ON),typ 27 m charge for most of the synchronous buck ID 70 A converter applications. The HSP200N02 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS
Otros transistores... HSP0048 , HSP0115 , HSP0139 , HSP120N08 , HSP150N02 , HSP150N15 , HSP15810C , HSP18N20 , IRLZ44N , HSP3018B , HSP3105 , HSP4024A , HSP4048 , HSP6016 , HSP6024A , HSP6032A , HSP6040 .
History: FCP190N60 | SWD088R08E8T | IPU050N03L | FDB86363-F085 | IXFA10N60P | SJMN380R65B | SWD70N10V
History: FCP190N60 | SWD088R08E8T | IPU050N03L | FDB86363-F085 | IXFA10N60P | SJMN380R65B | SWD70N10V



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
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