HSP200N02 Todos los transistores

 

HSP200N02 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSP200N02
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 343 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.033 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

 Búsqueda de reemplazo de HSP200N02 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HSP200N02 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:694K  huashuo
 hsp200n02.pdf pdf_icon

HSP200N02

HSP200N02 N-Ch 200V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSP200N02 is the highest performance VDS 200 V trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density, which provide excellent RDSON and gate RDS(ON),typ 27 m charge for most of the synchronous buck ID 70 A converter applications. The HSP200N02 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS

Otros transistores... HSP0048 , HSP0115 , HSP0139 , HSP120N08 , HSP150N02 , HSP150N15 , HSP15810C , HSP18N20 , IRLZ44N , HSP3018B , HSP3105 , HSP4024A , HSP4048 , HSP6016 , HSP6024A , HSP6032A , HSP6040 .

History: IRLR7821C | NTMS4807NR2G | SQ4005EY

 

 
Back to Top

 


 
.