HSP200N02 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSP200N02

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 343 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для HSP200N02

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSP200N02 даташит

 ..1. Size:694K  huashuo
 hsp200n02.pdf pdf_icon

HSP200N02

HSP200N02 N-Ch 200V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSP200N02 is the highest performance VDS 200 V trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density, which provide excellent RDSON and gate RDS(ON),typ 27 m charge for most of the synchronous buck ID 70 A converter applications. The HSP200N02 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS

Другие IGBT... HSP0048, HSP0115, HSP0139, HSP120N08, HSP150N02, HSP150N15, HSP15810C, HSP18N20, AON6380, HSP3018B, HSP3105, HSP4024A, HSP4048, HSP6016, HSP6024A, HSP6032A, HSP6040