Справочник MOSFET. HSP200N02

 

HSP200N02 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSP200N02
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 343 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для HSP200N02

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSP200N02 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:694K  huashuo
 hsp200n02.pdf pdf_icon

HSP200N02

HSP200N02 N-Ch 200V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSP200N02 is the highest performance VDS 200 V trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density, which provide excellent RDSON and gate RDS(ON),typ 27 m charge for most of the synchronous buck ID 70 A converter applications. The HSP200N02 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS

Другие MOSFET... HSP0048 , HSP0115 , HSP0139 , HSP120N08 , HSP150N02 , HSP150N15 , HSP15810C , HSP18N20 , IRLZ44N , HSP3018B , HSP3105 , HSP4024A , HSP4048 , HSP6016 , HSP6024A , HSP6032A , HSP6040 .

History: 2SK2533 | SIR770DP | FCPF400N80ZL1

 

 
Back to Top

 


 
.