HSP3018B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HSP3018B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 187 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 205 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 56.9 nC
Tiempo de subida (tr): 6.3 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 720 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0024 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HSP3018B
HSP3018B Datasheet (PDF)
..1. Size:628K huashuo
hsp3018b.pdf
hsp3018b.pdf
HSP3018B N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSP3018B is the high cell density trenched VDS 30 V N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous RDS(ON),typ 2 m buck converter applications. ID 205 A The HSP3018B meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reli
Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
