HSP3018B Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSP3018B

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 187 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 205 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6.3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 720 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0024 Ohm

Encapsulados: TO220

 Búsqueda de reemplazo de HSP3018B MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HSP3018B datasheet

 ..1. Size:628K  huashuo
 hsp3018b.pdf pdf_icon

HSP3018B

HSP3018B N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSP3018B is the high cell density trenched VDS 30 V N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous RDS(ON),typ 2 m buck converter applications. ID 205 A The HSP3018B meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reli

Otros transistores... HSP0115, HSP0139, HSP120N08, HSP150N02, HSP150N15, HSP15810C, HSP18N20, HSP200N02, IRF530, HSP3105, HSP4024A, HSP4048, HSP6016, HSP6024A, HSP6032A, HSP6040, HSP6048