Справочник MOSFET. HSP3018B

 

HSP3018B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSP3018B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 187 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 205 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 720 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для HSP3018B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSP3018B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:628K  huashuo
 hsp3018b.pdf pdf_icon

HSP3018B

HSP3018B N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSP3018B is the high cell density trenched VDS 30 V N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous RDS(ON),typ 2 m buck converter applications. ID 205 A The HSP3018B meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reli

Другие MOSFET... HSP0115 , HSP0139 , HSP120N08 , HSP150N02 , HSP150N15 , HSP15810C , HSP18N20 , HSP200N02 , AO4407 , HSP3105 , HSP4024A , HSP4048 , HSP6016 , HSP6024A , HSP6032A , HSP6040 , HSP6048 .

History: STS8DN6LF6AG | SW4N65U | SW4N65B | SI9410BDY-T1 | IRF7103 | SQR50N03-06P | SWD070R08E7T

 

 
Back to Top

 


 
.