HSP3018B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSP3018B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 187 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 205 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 720 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для HSP3018B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSP3018B даташит

 ..1. Size:628K  huashuo
 hsp3018b.pdf pdf_icon

HSP3018B

HSP3018B N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSP3018B is the high cell density trenched VDS 30 V N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous RDS(ON),typ 2 m buck converter applications. ID 205 A The HSP3018B meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reli

Другие IGBT... HSP0115, HSP0139, HSP120N08, HSP150N02, HSP150N15, HSP15810C, HSP18N20, HSP200N02, IRF530, HSP3105, HSP4024A, HSP4048, HSP6016, HSP6024A, HSP6032A, HSP6040, HSP6048