HSP3105 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HSP3105
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 74 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 73.7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de HSP3105 MOSFET
HSP3105 Datasheet (PDF)
hsp3105.pdf

HSP3105 General Description Product Summary The HSP3105 is the high cell density trenched P-VDS -30 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 14 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -60 A The HSP3105 meet the RoHS and Green Product requirement 100% EAS guaranteed with full function reliability approved. TO-220 P
Otros transistores... HSP0139 , HSP120N08 , HSP150N02 , HSP150N15 , HSP15810C , HSP18N20 , HSP200N02 , HSP3018B , IRLB4132 , HSP4024A , HSP4048 , HSP6016 , HSP6024A , HSP6032A , HSP6040 , HSP6048 , HSP6115 .
History: SJMN070R60SW | IRLZ14L | 2SK4114 | STB80NE03L-06T4 | HTMN5130SSD | SFB082N80DC2 | IRL1104LPBF
History: SJMN070R60SW | IRLZ14L | 2SK4114 | STB80NE03L-06T4 | HTMN5130SSD | SFB082N80DC2 | IRL1104LPBF



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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