HSP3105 Todos los transistores

 

HSP3105 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSP3105
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 74 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 73.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

 Búsqueda de reemplazo de HSP3105 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HSP3105 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:538K  huashuo
 hsp3105.pdf pdf_icon

HSP3105

HSP3105 General Description Product Summary The HSP3105 is the high cell density trenched P-VDS -30 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 14 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -60 A The HSP3105 meet the RoHS and Green Product requirement 100% EAS guaranteed with full function reliability approved. TO-220 P

Otros transistores... HSP0139 , HSP120N08 , HSP150N02 , HSP150N15 , HSP15810C , HSP18N20 , HSP200N02 , HSP3018B , IRLB4132 , HSP4024A , HSP4048 , HSP6016 , HSP6024A , HSP6032A , HSP6040 , HSP6048 , HSP6115 .

History: SSF1122 | SFB083N80CC2 | IRF7456PBF-1 | NVBLS1D1N08H | STF5N80K5

 

 
Back to Top

 


 
.