HSP3105 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSP3105

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 73.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для HSP3105

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSP3105 даташит

 ..1. Size:538K  huashuo
 hsp3105.pdf pdf_icon

HSP3105

HSP3105 General Description Product Summary The HSP3105 is the high cell density trenched P- VDS -30 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 14 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -60 A The HSP3105 meet the RoHS and Green Product requirement 100% EAS guaranteed with full function reliability approved. TO-220 P

Другие IGBT... HSP0139, HSP120N08, HSP150N02, HSP150N15, HSP15810C, HSP18N20, HSP200N02, HSP3018B, CS150N03A8, HSP4024A, HSP4048, HSP6016, HSP6024A, HSP6032A, HSP6040, HSP6048, HSP6115