Справочник MOSFET. HSP3105

 

HSP3105 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSP3105
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 73.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для HSP3105

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSP3105 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:538K  huashuo
 hsp3105.pdf pdf_icon

HSP3105

HSP3105 General Description Product Summary The HSP3105 is the high cell density trenched P-VDS -30 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 14 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -60 A The HSP3105 meet the RoHS and Green Product requirement 100% EAS guaranteed with full function reliability approved. TO-220 P

Другие MOSFET... HSP0139 , HSP120N08 , HSP150N02 , HSP150N15 , HSP15810C , HSP18N20 , HSP200N02 , HSP3018B , IRLB4132 , HSP4024A , HSP4048 , HSP6016 , HSP6024A , HSP6032A , HSP6040 , HSP6048 , HSP6115 .

History: BRFL12N60 | RD3L220SN | FQB4N20TM | KNF6165B | RU40S4H | PSMN017-30BL | 7N80G-TA3-T

 

 
Back to Top

 


 
.