HSP6115 Todos los transistores

 

HSP6115 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSP6115
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 86.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 224 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

 Búsqueda de reemplazo de HSP6115 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HSP6115 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:362K  huashuo
 hsp6115.pdf pdf_icon

HSP6115

HSP6115 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSP6115 is the high cell density trenched P-V -60 V DSch MOSFETs, which provide excellent RDSON R and gate charge for most of the synchronous DS(ON),max 27 m buck converter applications. I -45 A DThe HSP6115 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function rel

Otros transistores... HSP3105 , HSP4024A , HSP4048 , HSP6016 , HSP6024A , HSP6032A , HSP6040 , HSP6048 , 10N65 , HSP8004 , HSP80P10 , HSP8N50 , HSS0008 , HSS0127 , HSS1N20 , HSS2012 , HSS2300A .

History: TK65S04N1L | SMK1060FJ | MS23P21 | HMS80N10D | SPC10N80G | STFI15NM65N | STF5N62K3

 

 
Back to Top

 


 
.