HSP6115 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSP6115

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 86.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 224 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для HSP6115

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSP6115 даташит

 ..1. Size:362K  huashuo
 hsp6115.pdf pdf_icon

HSP6115

HSP6115 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSP6115 is the high cell density trenched P- V -60 V DS ch MOSFETs, which provide excellent RDSON R and gate charge for most of the synchronous DS(ON),max 27 m buck converter applications. I -45 A D The HSP6115 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function rel

Другие IGBT... HSP3105, HSP4024A, HSP4048, HSP6016, HSP6024A, HSP6032A, HSP6040, HSP6048, 4N60, HSP8004, HSP80P10, HSP8N50, HSS0008, HSS0127, HSS1N20, HSS2012, HSS2300A