Справочник MOSFET. HSP6115

 

HSP6115 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HSP6115
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 86.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 25 nC
   trⓘ - Время нарастания: 23.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 224 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для HSP6115

 

 

HSP6115 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:362K  huashuo
 hsp6115.pdf

HSP6115 HSP6115

HSP6115 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSP6115 is the high cell density trenched P-V -60 V DSch MOSFETs, which provide excellent RDSON R and gate charge for most of the synchronous DS(ON),max 27 m buck converter applications. I -45 A DThe HSP6115 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function rel

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top