HSP6115 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HSP6115
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 86.8 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 45 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 25 nC
Время нарастания (tr): 23.6 ns
Выходная емкость (Cd): 224 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.027 Ohm
Тип корпуса: TO220
HSP6115 Datasheet (PDF)
..1. Size:362K huashuo
hsp6115.pdf
hsp6115.pdf
HSP6115 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSP6115 is the high cell density trenched P-V -60 V DSch MOSFETs, which provide excellent RDSON R and gate charge for most of the synchronous DS(ON),max 27 m buck converter applications. I -45 A DThe HSP6115 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function rel
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
