HSP6115 - аналоги и даташиты транзистора

 

HSP6115 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HSP6115
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 86.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 224 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для HSP6115

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSP6115 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:362K  huashuo
 hsp6115.pdf pdf_icon

HSP6115

HSP6115 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSP6115 is the high cell density trenched P-V -60 V DSch MOSFETs, which provide excellent RDSON R and gate charge for most of the synchronous DS(ON),max 27 m buck converter applications. I -45 A DThe HSP6115 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function rel

Другие MOSFET... HSP3105 , HSP4024A , HSP4048 , HSP6016 , HSP6024A , HSP6032A , HSP6040 , HSP6048 , 10N65 , HSP8004 , HSP80P10 , HSP8N50 , HSS0008 , HSS0127 , HSS1N20 , HSS2012 , HSS2300A .

History: KHB4D0N80P1 | INJ0002AC1 | H5N5006LD

 

 
Back to Top

 


 
.