HSP80P10 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSP80P10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 210 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 91 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 289 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm

Encapsulados: TO220

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HSP80P10 datasheet

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HSP80P10

HSP80P10 P-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSP80P10 uses advanced trench MOSFET VDS -100 V technology to provide excellent RDS(ON) and gate RDS(ON),typ 20 m charge for use in a wide variety of other applications. ID -80 A The HSP80P10 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliability approved.

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HSP80P10

HSP8004 N-Ch 80V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V 80 V DS The HSP8004 is the high cell density trenched N- ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and R 3.1 m DS(ON),TYP gate charge for most of the synchronous buck converter applications. I 175 A D The HSP8004 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function

Otros transistores... HSP4048, HSP6016, HSP6024A, HSP6032A, HSP6040, HSP6048, HSP6115, HSP8004, IRF1407, HSP8N50, HSS0008, HSS0127, HSS1N20, HSS2012, HSS2300A, HSS2301B, HSS2301C