HSP80P10 Todos los transistores

 

HSP80P10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSP80P10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 210 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 91 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 289 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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HSP80P10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:799K  huashuo
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HSP80P10

HSP80P10 P-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSP80P10 uses advanced trench MOSFET VDS -100 V technology to provide excellent RDS(ON) and gate RDS(ON),typ 20 m charge for use in a wide variety of other applications. ID -80 A The HSP80P10 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliability approved.

 9.1. Size:770K  huashuo
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HSP80P10

HSP8004 N-Ch 80V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V 80 V DSThe HSP8004 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and R 3.1 m DS(ON),TYPgate charge for most of the synchronous buck converter applications. I 175 A DThe HSP8004 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function

Otros transistores... HSP4048 , HSP6016 , HSP6024A , HSP6032A , HSP6040 , HSP6048 , HSP6115 , HSP8004 , RFP50N06 , HSP8N50 , HSS0008 , HSS0127 , HSS1N20 , HSS2012 , HSS2300A , HSS2301B , HSS2301C .

History: IRF3711ZCS | 2N5522 | CS9N80P | NCE65T900 | IRFD214PBF | SPP80P06PH

 

 
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