HSP80P10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HSP80P10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 210 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 80 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 180 nC
Tiempo de subida (tr): 91 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 289 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.028 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HSP80P10
HSP80P10 Datasheet (PDF)
hsp80p10.pdf
HSP80P10 P-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSP80P10 uses advanced trench MOSFET VDS -100 V technology to provide excellent RDS(ON) and gate RDS(ON),typ 20 m charge for use in a wide variety of other applications. ID -80 A The HSP80P10 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliability approved.
hsp8004.pdf
HSP8004 N-Ch 80V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V 80 V DSThe HSP8004 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and R 3.1 m DS(ON),TYPgate charge for most of the synchronous buck converter applications. I 175 A DThe HSP8004 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function
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