HSP80P10 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSP80P10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 91 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 289 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для HSP80P10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSP80P10 даташит

 ..1. Size:799K  huashuo
 hsp80p10.pdf pdf_icon

HSP80P10

HSP80P10 P-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSP80P10 uses advanced trench MOSFET VDS -100 V technology to provide excellent RDS(ON) and gate RDS(ON),typ 20 m charge for use in a wide variety of other applications. ID -80 A The HSP80P10 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliability approved.

 9.1. Size:770K  huashuo
 hsp8004.pdf pdf_icon

HSP80P10

HSP8004 N-Ch 80V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V 80 V DS The HSP8004 is the high cell density trenched N- ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and R 3.1 m DS(ON),TYP gate charge for most of the synchronous buck converter applications. I 175 A D The HSP8004 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function

Другие IGBT... HSP4048, HSP6016, HSP6024A, HSP6032A, HSP6040, HSP6048, HSP6115, HSP8004, IRF1407, HSP8N50, HSS0008, HSS0127, HSS1N20, HSS2012, HSS2300A, HSS2301B, HSS2301C