HSP8N50 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSP8N50  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 142 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm

Encapsulados: TO220

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HSP8N50 datasheet

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HSP8N50

HSP8N50 Description Product Summary HSP8N50 is Fortunatus high voltage MOSFET VDS 500 V family based on advanced planar stripe DMOS technology. This advanced MOSFET family has RDS(ON),typ 850 m optimized on-state resistance, and also provides ID 8 A superior switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for high efficiency swi

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