HSP8N50 Todos los transistores

 

HSP8N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSP8N50

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 142 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 500 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 30 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V

Carga de compuerta (Qg): 23 nC

Tiempo de elevación (tr): 16 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 110 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.85 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220

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HSP8N50 Datasheet (PDF)

0.1. hsp8n50.pdf Size:886K _huashuo

HSP8N50
HSP8N50

HSP8N50 Description Product Summary HSP8N50 is Fortunatus high voltage MOSFET VDS 500 V family based on advanced planar stripe DMOS technology. This advanced MOSFET family has RDS(ON),typ 850 m optimized on-state resistance, and also provides ID 8 A superior switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for high efficiency swi

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