Справочник MOSFET. HSP8N50

 

HSP8N50 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: HSP8N50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 142 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 23 nC

Время нарастания (tr): 16 ns

Выходная емкость (Cd): 110 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.85 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для HSP8N50

 

 

HSP8N50 Datasheet (PDF)

0.1. hsp8n50.pdf Size:886K _huashuo

HSP8N50
HSP8N50

HSP8N50 Description Product Summary HSP8N50 is Fortunatus high voltage MOSFET VDS 500 V family based on advanced planar stripe DMOS technology. This advanced MOSFET family has RDS(ON),typ 850 m optimized on-state resistance, and also provides ID 8 A superior switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for high efficiency swi

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top