HSP8N50 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSP8N50  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 142 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HSP8N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSP8N50 даташит

 ..1. Size:886K  huashuo
 hsp8n50.pdf pdf_icon

HSP8N50

HSP8N50 Description Product Summary HSP8N50 is Fortunatus high voltage MOSFET VDS 500 V family based on advanced planar stripe DMOS technology. This advanced MOSFET family has RDS(ON),typ 850 m optimized on-state resistance, and also provides ID 8 A superior switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for high efficiency swi

Другие IGBT... HSP6016, HSP6024A, HSP6032A, HSP6040, HSP6048, HSP6115, HSP8004, HSP80P10, 2SK3568, HSS0008, HSS0127, HSS1N20, HSS2012, HSS2300A, HSS2301B, HSS2301C, HSS2302A