Справочник MOSFET. HSP8N50

 

HSP8N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSP8N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 142 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для HSP8N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSP8N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:886K  huashuo
 hsp8n50.pdf pdf_icon

HSP8N50

HSP8N50 Description Product Summary HSP8N50 is Fortunatus high voltage MOSFET VDS 500 V family based on advanced planar stripe DMOS technology. This advanced MOSFET family has RDS(ON),typ 850 m optimized on-state resistance, and also provides ID 8 A superior switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for high efficiency swi

Другие MOSFET... HSP6016 , HSP6024A , HSP6032A , HSP6040 , HSP6048 , HSP6115 , HSP8004 , HSP80P10 , 5N65 , HSS0008 , HSS0127 , HSS1N20 , HSS2012 , HSS2300A , HSS2301B , HSS2301C , HSS2302A .

History: SLP6N70U | IXFV20N80P | TSM2NB60CZ | AP60WN4K5H | AFN4134 | AP60SL150AP | DMS3016SSS

 

 
Back to Top

 


 
.