HSS0008 Todos los transistores

 

HSS0008 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSS0008
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 29 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.31 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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HSS0008 Datasheet (PDF)

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HSS0008

HSS0008 N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 100 V The HSS0008 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provides excellent RDSON RDS(ON),max 310 m and efficiency for most of the small power switching and load switch applications. ID 1.2 A The HSS0008 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approv

Otros transistores... HSP6024A , HSP6032A , HSP6040 , HSP6048 , HSP6115 , HSP8004 , HSP80P10 , HSP8N50 , STP80NF70 , HSS0127 , HSS1N20 , HSS2012 , HSS2300A , HSS2301B , HSS2301C , HSS2302A , HSS2302B .

History: CSD17573Q5B | STB120N10F4 | SVS7N70FD2 | AON6667 | SIHFI740G

 

 
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