HSS0008 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSS0008

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 100 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 1.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 2.5 V

Carga de compuerta (Qg): 9.7 nC

Tiempo de elevación (tr): 19 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 29 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.31 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT23

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HSS0008 Datasheet (PDF)

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HSS0008 N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 100 V The HSS0008 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provides excellent RDSON RDS(ON),max 310 m and efficiency for most of the small power switching and load switch applications. ID 1.2 A The HSS0008 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approv

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