HSS0008 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSS0008  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 29 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.31 Ohm

Encapsulados: SOT23

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HSS0008 datasheet

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HSS0008

HSS0008 N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 100 V The HSS0008 is the high cell density trenched N- ch MOSFETs, which provides excellent RDSON RDS(ON),max 310 m and efficiency for most of the small power switching and load switch applications. ID 1.2 A The HSS0008 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approv

Otros transistores... HSP6024A, HSP6032A, HSP6040, HSP6048, HSP6115, HSP8004, HSP80P10, HSP8N50, IRF2807, HSS0127, HSS1N20, HSS2012, HSS2300A, HSS2301B, HSS2301C, HSS2302A, HSS2302B