HSS0008 - аналоги и даташиты транзистора

 

HSS0008 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HSS0008
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 29 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.31 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для HSS0008

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSS0008 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1580K  huashuo
 hss0008.pdf pdf_icon

HSS0008

HSS0008 N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 100 V The HSS0008 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provides excellent RDSON RDS(ON),max 310 m and efficiency for most of the small power switching and load switch applications. ID 1.2 A The HSS0008 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approv

Другие MOSFET... HSP6024A , HSP6032A , HSP6040 , HSP6048 , HSP6115 , HSP8004 , HSP80P10 , HSP8N50 , 75N75 , HSS0127 , HSS1N20 , HSS2012 , HSS2300A , HSS2301B , HSS2301C , HSS2302A , HSS2302B .

History: CM20N60P | HFD2N70S | FDD850N10L | APT6040BVFR | IRFH3205 | 2N7268U | BUZ50BSM

 

 
Back to Top

 


 
.