Справочник MOSFET. HSS0008

 

HSS0008 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: HSS0008

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1.2 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 9.7 nC

Время нарастания (tr): 19 ns

Выходная емкость (Cd): 29 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.31 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для HSS0008

 

 

HSS0008 Datasheet (PDF)

0.1. hss0008.pdf Size:1580K _huashuo

HSS0008
HSS0008

HSS0008 N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 100 V The HSS0008 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provides excellent RDSON RDS(ON),max 310 m and efficiency for most of the small power switching and load switch applications. ID 1.2 A The HSS0008 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approv

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top