Справочник MOSFET. HSS0008

 

HSS0008 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSS0008
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 29 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.31 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для HSS0008

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSS0008 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1580K  huashuo
 hss0008.pdf pdf_icon

HSS0008

HSS0008 N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 100 V The HSS0008 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provides excellent RDSON RDS(ON),max 310 m and efficiency for most of the small power switching and load switch applications. ID 1.2 A The HSS0008 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approv

Другие MOSFET... HSP6024A , HSP6032A , HSP6040 , HSP6048 , HSP6115 , HSP8004 , HSP80P10 , HSP8N50 , STP80NF70 , HSS0127 , HSS1N20 , HSS2012 , HSS2300A , HSS2301B , HSS2301C , HSS2302A , HSS2302B .

History: HAT1072H | SWT69N65K2F | AOH3106 | APT60M75L2LL | STD30PF03L-1

 

 
Back to Top

 


 
.