HSS0127 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSS0127

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 100 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 0.9 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 2.5 V

Carga de compuerta (Qg): 4.5 nC

Tiempo de elevación (tr): 6.8 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 29 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.65 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT23

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HSS0127 Datasheet (PDF)

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HSS0127 P-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSS0127 is the high cell density trenched P-VDS -100 V ch MOSFETs, which provides excellent RDSON RDS(ON),typ 650 m and efficiency for most of the small power switching and load switch applications. ID -0.9 A The HSS0127 meets the RoHS and Green Product requirement with full function reliability

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