HSS0127 Todos los transistores

 

HSS0127 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSS0127
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 29 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.65 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

 Búsqueda de reemplazo de HSS0127 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

Principales características: HSS0127

 ..1. Size:406K  huashuo
 hss0127.pdf pdf_icon

HSS0127

HSS0127 P-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSS0127 is the high cell density trenched P- VDS -100 V ch MOSFETs, which provides excellent RDSON RDS(ON),typ 650 m and efficiency for most of the small power switching and load switch applications. ID -0.9 A The HSS0127 meets the RoHS and Green Product requirement with full function reliability

Otros transistores... HSP6032A , HSP6040 , HSP6048 , HSP6115 , HSP8004 , HSP80P10 , HSP8N50 , HSS0008 , 5N60 , HSS1N20 , HSS2012 , HSS2300A , HSS2301B , HSS2301C , HSS2302A , HSS2302B , HSS2305A .

 

 
Back to Top

 


 
.