HSS0127 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSS0127  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 29 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HSS0127

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSS0127 даташит

 ..1. Size:406K  huashuo
 hss0127.pdf pdf_icon

HSS0127

HSS0127 P-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSS0127 is the high cell density trenched P- VDS -100 V ch MOSFETs, which provides excellent RDSON RDS(ON),typ 650 m and efficiency for most of the small power switching and load switch applications. ID -0.9 A The HSS0127 meets the RoHS and Green Product requirement with full function reliability

Другие IGBT... HSP6032A, HSP6040, HSP6048, HSP6115, HSP8004, HSP80P10, HSP8N50, HSS0008, TK10A60D, HSS1N20, HSS2012, HSS2300A, HSS2301B, HSS2301C, HSS2302A, HSS2302B, HSS2305A