Справочник MOSFET. HSS0127

 

HSS0127 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: HSS0127

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.9 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 4.5 nC

Время нарастания (tr): 6.8 ns

Выходная емкость (Cd): 29 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.65 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для HSS0127

 

 

HSS0127 Datasheet (PDF)

0.1. hss0127.pdf Size:406K _huashuo

HSS0127
HSS0127

HSS0127 P-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSS0127 is the high cell density trenched P-VDS -100 V ch MOSFETs, which provides excellent RDSON RDS(ON),typ 650 m and efficiency for most of the small power switching and load switch applications. ID -0.9 A The HSS0127 meets the RoHS and Green Product requirement with full function reliability

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top