HSS1N20 Todos los transistores

 

HSS1N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSS1N20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.71 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 88 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23L
 

 Búsqueda de reemplazo de HSS1N20 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HSS1N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:740K  huashuo
 hss1n20.pdf pdf_icon

HSS1N20

HSS1N20 N-Ch 200V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSS1N20 is the high cell density trenched VDS 200 V N-ch MOSFETs, which provides excellent RDS(ON),Max 1.9 RDSON and efficiency for most of the small power switching and load switch applications. ID 1 A The HSS1N20 meets the RoHS and Green Product requirement with full function reliability appr

Otros transistores... HSP6040 , HSP6048 , HSP6115 , HSP8004 , HSP80P10 , HSP8N50 , HSS0008 , HSS0127 , SKD502T , HSS2012 , HSS2300A , HSS2301B , HSS2301C , HSS2302A , HSS2302B , HSS2305A , HSS2306A .

History: FXN40N03C

 

 
Back to Top

 


 
.