HSS1N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HSS1N20
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.71 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 88 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.9 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23L
Búsqueda de reemplazo de HSS1N20 MOSFET
HSS1N20 Datasheet (PDF)
hss1n20.pdf

HSS1N20 N-Ch 200V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSS1N20 is the high cell density trenched VDS 200 V N-ch MOSFETs, which provides excellent RDS(ON),Max 1.9 RDSON and efficiency for most of the small power switching and load switch applications. ID 1 A The HSS1N20 meets the RoHS and Green Product requirement with full function reliability appr
Otros transistores... HSP6040 , HSP6048 , HSP6115 , HSP8004 , HSP80P10 , HSP8N50 , HSS0008 , HSS0127 , SKD502T , HSS2012 , HSS2300A , HSS2301B , HSS2301C , HSS2302A , HSS2302B , HSS2305A , HSS2306A .
History: IRFR3711 | NCE01P03S | BLM4435 | BLM3415 | PTA25N50 | SWD4N65K | LNE06R062
History: IRFR3711 | NCE01P03S | BLM4435 | BLM3415 | PTA25N50 | SWD4N65K | LNE06R062



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
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