HSS1N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSS1N20

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.71 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 200 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 30 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 2.5 V

Carga de compuerta (Qg): 12 nC

Tiempo de elevación (tr): 11 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 88 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.9 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT23L

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HSS1N20 Datasheet (PDF)

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