HSS1N20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HSS1N20
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.71 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 88 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.9 Ohm
Тип корпуса: SOT23L
Аналог (замена) для HSS1N20
HSS1N20 Datasheet (PDF)
hss1n20.pdf

HSS1N20 N-Ch 200V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSS1N20 is the high cell density trenched VDS 200 V N-ch MOSFETs, which provides excellent RDS(ON),Max 1.9 RDSON and efficiency for most of the small power switching and load switch applications. ID 1 A The HSS1N20 meets the RoHS and Green Product requirement with full function reliability appr
Другие MOSFET... HSP6040 , HSP6048 , HSP6115 , HSP8004 , HSP80P10 , HSP8N50 , HSS0008 , HSS0127 , SKD502T , HSS2012 , HSS2300A , HSS2301B , HSS2301C , HSS2302A , HSS2302B , HSS2305A , HSS2306A .
History: SI7448DP | BUK663R2-40C | IRFP9141 | IXFX88N20Q | FXN40N03C | APT50M60JVFR
History: SI7448DP | BUK663R2-40C | IRFP9141 | IXFX88N20Q | FXN40N03C | APT50M60JVFR



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTE6888A | JMTE3003A | JMTE3002B | JMTE068N07A | JMTE060N06A | JMTE035N06D | JMTE035N04A | JMTE025N04D | JMTE018N03A | JMTD3134K | JMTD2N7002KS | JMSL1509PG | JMSL10A13P | JMSL10A13L | JMSL10A13K | JMSL1010PU
Popular searches
2sa1360 | p60nf06 datasheet | 2sc4468 | ru6888r | 2sc1815y | ktc3964 | s9013 transistor equivalent | 60n60 mosfet