Справочник MOSFET. HSS1N20

 

HSS1N20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSS1N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.71 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 88 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.9 Ohm
   Тип корпуса: SOT23L
 

 Аналог (замена) для HSS1N20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSS1N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:740K  huashuo
 hss1n20.pdf pdf_icon

HSS1N20

HSS1N20 N-Ch 200V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSS1N20 is the high cell density trenched VDS 200 V N-ch MOSFETs, which provides excellent RDS(ON),Max 1.9 RDSON and efficiency for most of the small power switching and load switch applications. ID 1 A The HSS1N20 meets the RoHS and Green Product requirement with full function reliability appr

Другие MOSFET... HSP6040 , HSP6048 , HSP6115 , HSP8004 , HSP80P10 , HSP8N50 , HSS0008 , HSS0127 , SKD502T , HSS2012 , HSS2300A , HSS2301B , HSS2301C , HSS2302A , HSS2302B , HSS2305A , HSS2306A .

History: SI7448DP | BUK663R2-40C | IRFP9141 | IXFX88N20Q | FXN40N03C | APT50M60JVFR

 

 
Back to Top

 


 
.