HSS2607 Todos los transistores

 

HSS2607 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSS2607
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 59 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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HSS2607 Datasheet (PDF)

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HSS2607

HSS2607 P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSS2607 is the high cell density trenched P-VDS -20 V ch MOSFETs, which provides excellent RDSON RDS(ON),typ 25 m and efficiency for most of the small power switching and load switch applications ID -5 A The HSS2607 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved

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History: STB5NK50Z-1 | CS5N65D | 2N5397

 

 
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