HSS2607 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HSS2607
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
Carga de la puerta (Qg): 27.3 nC
Tiempo de subida (tr): 59 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 220 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.032 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
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HSS2607 Datasheet (PDF)
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HSS2607 P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSS2607 is the high cell density trenched P-VDS -20 V ch MOSFETs, which provides excellent RDSON RDS(ON),typ 25 m and efficiency for most of the small power switching and load switch applications ID -5 A The HSS2607 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved
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