HSS2607 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HSS2607
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 59 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для HSS2607
HSS2607 Datasheet (PDF)
hss2607.pdf

HSS2607 P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSS2607 is the high cell density trenched P-VDS -20 V ch MOSFETs, which provides excellent RDSON RDS(ON),typ 25 m and efficiency for most of the small power switching and load switch applications ID -5 A The HSS2607 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved
Другие MOSFET... HSS2306A , HSS2307 , HSS2307A , HSS2308A , HSS2310A , HSS2312A , HSS2319 , HSS2333 , NCEP15T14 , HSS2N7002K , HSS2P10 , HSS3400A , HSS3401A , HSS3402A , HSS3404A , HSS3407A , HSS3409A .
History: CS3N65P | TPCA8A09-H | 2SK3264-01MR | IPB083N10N3G | STL9N60M2 | DMG3413L | TF68N80
History: CS3N65P | TPCA8A09-H | 2SK3264-01MR | IPB083N10N3G | STL9N60M2 | DMG3413L | TF68N80



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
datasheet irfz44n | 2sd1047 transistor | mj802 | bu508a | bc560c | ksa1220ay | irf 830 | mpsa56 transistor