HSS2607. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HSS2607

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 59 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для HSS2607

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSS2607 даташит

 ..1. Size:439K  huashuo
 hss2607.pdf pdf_icon

HSS2607

HSS2607 P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSS2607 is the high cell density trenched P- VDS -20 V ch MOSFETs, which provides excellent RDSON RDS(ON),typ 25 m and efficiency for most of the small power switching and load switch applications ID -5 A The HSS2607 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved

Другие IGBT... HSS2306A, HSS2307, HSS2307A, HSS2308A, HSS2310A, HSS2312A, HSS2319, HSS2333, IRF1405, HSS2N7002K, HSS2P10, HSS3400A, HSS3401A, HSS3402A, HSS3404A, HSS3407A, HSS3409A