HSS2607 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HSS2607
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 27.3 nC
Время нарастания (tr): 59 ns
Выходная емкость (Cd): 220 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.032 Ohm
Тип корпуса: SOT23
HSS2607 Datasheet (PDF)
..1. Size:439K huashuo
hss2607.pdf
hss2607.pdf
HSS2607 P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSS2607 is the high cell density trenched P-VDS -20 V ch MOSFETs, which provides excellent RDSON RDS(ON),typ 25 m and efficiency for most of the small power switching and load switch applications ID -5 A The HSS2607 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
