HSS2P10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HSS2P10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.4 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 2 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 15 nC
Tiempo de subida (tr): 47 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 48 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.32 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
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HSS2P10 Datasheet (PDF)
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HSS2P10 P-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSS2P10 is the high cell density trenched P-VDS -100 V ch MOSFETs, which provides excellent RDSON RDS(ON),typ 255 m and efficiency for most of the small power switching and load switch applications. ID -2 A The HSS2P10 meets the RoHS and Green Product requirement with full function reliability a
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