HSS2P10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HSS2P10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 47 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 48 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.32 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для HSS2P10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSS2P10 даташит

 ..1. Size:400K  huashuo
 hss2p10.pdf pdf_icon

HSS2P10

HSS2P10 P-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSS2P10 is the high cell density trenched P- VDS -100 V ch MOSFETs, which provides excellent RDSON RDS(ON),typ 255 m and efficiency for most of the small power switching and load switch applications. ID -2 A The HSS2P10 meets the RoHS and Green Product requirement with full function reliability a

Другие IGBT... HSS2307A, HSS2308A, HSS2310A, HSS2312A, HSS2319, HSS2333, HSS2607, HSS2N7002K, IRFZ48N, HSS3400A, HSS3401A, HSS3402A, HSS3404A, HSS3407A, HSS3409A, HSS3414A, HSS3415E