Справочник MOSFET. HSS2P10

 

HSS2P10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSS2P10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 47 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 48 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.32 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HSS2P10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:400K  huashuo
 hss2p10.pdf pdf_icon

HSS2P10

HSS2P10 P-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSS2P10 is the high cell density trenched P-VDS -100 V ch MOSFETs, which provides excellent RDSON RDS(ON),typ 255 m and efficiency for most of the small power switching and load switch applications. ID -2 A The HSS2P10 meets the RoHS and Green Product requirement with full function reliability a

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: RU20N65P

 

 
Back to Top

 


 
.