Справочник MOSFET. HSS2P10

 

HSS2P10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSS2P10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 47 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 48 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.32 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для HSS2P10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSS2P10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:400K  huashuo
 hss2p10.pdf pdf_icon

HSS2P10

HSS2P10 P-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSS2P10 is the high cell density trenched P-VDS -100 V ch MOSFETs, which provides excellent RDSON RDS(ON),typ 255 m and efficiency for most of the small power switching and load switch applications. ID -2 A The HSS2P10 meets the RoHS and Green Product requirement with full function reliability a

Другие MOSFET... HSS2307A , HSS2308A , HSS2310A , HSS2312A , HSS2319 , HSS2333 , HSS2607 , HSS2N7002K , RU7088R , HSS3400A , HSS3401A , HSS3402A , HSS3404A , HSS3407A , HSS3409A , HSS3414A , HSS3415E .

History: IXFH30N50Q3 | KF7N65FM | STY80NM60N | IRF1407PBF

 

 
Back to Top

 


 
.