HSS3N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HSS3N10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.2 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 3 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 4.3 nC
Tiempo de subida (tr): 3.4 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 29 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.14 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
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HSS3N10 Datasheet (PDF)
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HSS3N10 N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 100 V The HSS3N10 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),typ 110 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 3 A The HSS3N10 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved. Gre
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