HSS3N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HSS3N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 4.3 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 3.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 29 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

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HSS3N10 Datasheet (PDF)

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hss3n10.pdf

HSS3N10 N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 100 V The HSS3N10 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),typ 110 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 3 A The HSS3N10 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved. Gre

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Liste

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