HSS3N10 Todos los transistores

 

HSS3N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSS3N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 29 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

 Búsqueda de reemplazo de HSS3N10 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HSS3N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:439K  huashuo
 hss3n10.pdf pdf_icon

HSS3N10

HSS3N10 N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 100 V The HSS3N10 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),typ 110 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 3 A The HSS3N10 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved. Gre

Otros transistores... HSS3401A , HSS3402A , HSS3404A , HSS3407A , HSS3409A , HSS3414A , HSS3415E , HSS3416E , MMIS60R580P , HSS4002 , HSS6014 , HSS6107 , HSSC3134 , HSSC3139 , HSSK6303 , HSSK8811 , HSSN3134 .

 

 
Back to Top

 


 
.